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HY5DU283222AQP-4

更新时间: 2024-11-02 05:36:59
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
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51页 1470K
描述
128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222AQP-4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.83访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):250 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:100字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.6 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.03 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.45 mA最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:14 mm
Base Number Matches:1

HY5DU283222AQP-4 数据手册

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HY5DU283222AQP  
128M(4Mx32) GDDR SDRAM  
HY5DU283222AQP  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any re-  
sponsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.1 / Jan. 2005  
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