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HY5DU283222AQ-5

更新时间: 2024-11-02 05:38:07
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海力士 - HYNIX 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
51页 1682K
描述
128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222AQ-5 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.77
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:100字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.6 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.02 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.37 mA
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

HY5DU283222AQ-5 数据手册

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HY5DU283222AQ  
128M(4Mx32) GDDR SDRAM  
HY5DU283222AQ  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any re-  
sponsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.2 / Sep. 2003  
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