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HY5DU281622DLT-H

更新时间: 2024-09-14 13:08:27
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
33页 405K
描述
DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU281622DLT-H 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.82
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
长度:22.225 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU281622DLT-H 数据手册

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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume  
any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.0/Apr. 2003  
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