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HY5DU281622ETP-5

更新时间: 2024-11-02 05:36:59
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海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
34页 249K
描述
128M(8Mx16) gDDR SDRAM

HY5DU281622ETP-5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.79Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
长度:22.225 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.04 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.39 mA最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU281622ETP-5 数据手册

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HY5DU281622ETP  
128M(8Mx16) gDDR SDRAM  
HY5DU281622ETP  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.0 / Oct. 2005  
1

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