5秒后页面跳转
HY5DU281622FLTP-5I PDF预览

HY5DU281622FLTP-5I

更新时间: 2024-11-02 21:06:39
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 226K
描述
DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

HY5DU281622FLTP-5I 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46针数:66
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.82
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
长度:22.225 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.01 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.3 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.4 V标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU281622FLTP-5I 数据手册

 浏览型号HY5DU281622FLTP-5I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY5DU281622FLTP-5I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY5DU281622FLTP-5I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY5DU281622FLTP-5I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY5DU281622FLTP-5I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY5DU281622FLTP-5I的Datasheet PDF文件第7页 
128Mb DDR SDRAM  
HY5DU281622FTP-xI  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.0 / June 2008  
1

与HY5DU281622FLTP-5I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY5DU281622FLTP-D43I HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
HY5DU281622FLTP-D4I HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
HY5DU281622FLTP-H HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
HY5DU281622FLTP-HI HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
HY5DU281622FLTP-JI HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
HY5DU281622FLTP-K HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
HY5DU281622FLTP-KI HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
HY5DU281622FTP-4 HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
HY5DU281622FTP-4I HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
HY5DU281622FTP-5 HYNIX

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66