生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSSOP, TSSOP66,.46 | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.82 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.75 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 22.225 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.194 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY5DU281622DLT-L | HYNIX |
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DDR DRAM, 8MX16, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | |
HY5DU281622DLT-M | HYNIX |
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DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | |
HY5DU281622DLT-X | HYNIX |
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128Mb-S DDR SDRAM | |
HY5DU281622DT | HYNIX |
获取价格 |
128Mb-S DDR SDRAM | |
HY5DU281622DT-6 | ETC |
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8Mx16|2.5V|4K|6|DDR SDRAM - 128M | |
HY5DU281622DT-X | HYNIX |
获取价格 |
128Mb-S DDR SDRAM | |
HY5DU281622ET | HYNIX |
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128M(8Mx16) GDDR SDRAM | |
HY5DU281622ET-25 | HYNIX |
获取价格 |
128M(8Mx16) GDDR SDRAM | |
HY5DU281622ET-26 | HYNIX |
获取价格 |
128M(8Mx16) GDDR SDRAM | |
HY5DU281622ET-28 | HYNIX |
获取价格 |
128M(8Mx16) GDDR SDRAM |