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HY5DU281622DLT-M

更新时间： 2024-11-01 20:56:55

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	312K
描述
DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

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HY5DU281622DLT-M 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.82
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e6
长度：	22.225 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY5DU28422D(L)T

HY5DU28822D(L)T

HY5DU281622D(L)T

128M-S DDR SDRAM

HY5DU28422D(L)T

HY5DU28822D(L)T

HY5DU281622D(L)T

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