是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.75 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 | 长度: | 22.225 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 268435456 words | 字数代码: | 256000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.194 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY5DU1G822T-M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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HY5DU281622ALT | ETC |
获取价格 |
8Mx16|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
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HY5DU281622ALT-H | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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HY5DU281622ALT-K | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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HY5DU281622ALT-L | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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HY5DU281622AT | ETC |
获取价格 |
8Mx16|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
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HY5DU281622AT-6 | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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HY5DU281622AT-H | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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HY5DU281622AT-K | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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HY5DU281622AT-L | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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