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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSSOP66,.46 |
| 针数： | 66 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 | 长度： | 22.225 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 66 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.194 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5DU1G822T-M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
|
| HY5DU281622ALT | ETC |
获取价格 |
8Mx16|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
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| HY5DU281622ALT-H | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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| HY5DU281622ALT-K | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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| HY5DU281622ALT-L | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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| HY5DU281622AT | ETC |
获取价格 |
8Mx16|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
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| HY5DU281622AT-6 | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
|
| HY5DU281622AT-H | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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| HY5DU281622AT-K | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
|
| HY5DU281622AT-L | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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