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HY29F200TT-70E

更新时间： 2024-09-15 20:26:11

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
43页	1368K
描述
Flash, 256KX8, 70ns, PDSO48, TSOP-48

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HY29F200TT-70E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 128K X 16	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,3
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

HY29F200TT-70E 数据手册

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与HY29F200TT-70E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY29F200TT-70I	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
HY29F200TT-90	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
HY29F200TT-90E	HYNIX	获取价格	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, TSOP-48
HY29F200TT-90I	HYNIX	获取价格	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, TSOP-48
HY29F400	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400A	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-50	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-50I	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-55	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-55I	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory