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HY29F200TT-90E

更新时间： 2024-09-16 20:26:11

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
43页	1368K
描述
Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, TSOP-48

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HY29F200TT-90E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 128K X 16
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

HY29F200TT-90E 数据手册

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与HY29F200TT-90E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY29F200TT-90I	HYNIX	获取价格	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, TSOP-48
HY29F400	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400A	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-50	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-50I	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-55	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-55I	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-70	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-70I	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400ABG-90	HYNIX	获取价格	4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory