生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 90 ns | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,7 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY29F400ABT-90I | HYNIX |
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4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory | |
HY29F400AG-12E | HYNIX |
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Flash, 512KX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | |
HY29F400AG-12I | HYNIX |
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Flash, 512KX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | |
HY29F400AG-15I | HYNIX |
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Flash, 512KX8, 150ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | |
HY29F400AG-90 | HYNIX |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | |
HY29F400AG-90E | HYNIX |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | |
HY29F400AR-12 | HYNIX |
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Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48 | |
HY29F400AR-12E | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48 | |
HY29F400AR-15 | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 150ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48 | |
HY29F400AR-90 | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48 |