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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF75531SK8T
HUF75531SK8T PDF预览

HUF75531SK8T

更新时间： 2024-11-28 22:10:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 241K
描述
6A, 80V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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HUF75531SK8T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.19
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF75531SK8T 数据手册

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HUF75531SK8  
Data Sheet  
December 2001  
6A, 80V, 0.030 Ohm, N-Channel,  
UltraFET Power MOSFET  
Packaging  
JEDEC MS-012AA  
Features  
BRANDING DASH  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.030Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
• Simulation Models  
5
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
1
2
3
4
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
SOURCE (1)  
SOURCE (2)  
SOURCE (3)  
GATE (4)  
DRAIN (8)  
DRAIN (7)  
DRAIN (6)  
DRAIN (5)  
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
MS-012AA  
BRAND  
75531SK8  
HUF75531SK8  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75531SK8T.  
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
A
HUF75531SK8  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
80  
80  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±20  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
6
4
A
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
A
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
2.5  
20  
W
mW/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 150  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB370. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
o
o
1. T = 25 C to 125 C.  
J
o
2
2
2. 50 C/W measured using FR-4 board with 0.76 in (490.3 mm ) copper pad at 10 second.  
o
2
2
3. 152 C/W measured using FR-4 board with 0.054 in (34.8 mm ) copper pad at 1000 seconds  
o
2
2
4. 189 C/W measured using FR-4 board with 0.0115 in (7.42 mm ) copper pad at 1000 seconds  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75531SK8 Rev. B  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75531SK8T_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
HUF75542P3 FAIRCHILD

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HUF75542P3 INTERSIL

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HUF75542P3 ONSEMI

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 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，80V，75A，14mΩ
HUF75542S3S FAIRCHILD

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 		75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
HUF75545P3 ONSEMI

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 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，80V，75A，10mΩ

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