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HSCH-5518

更新时间: 2024-11-11 15:34:15
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安华高科 - AVAGO 脉冲二极管
页数 文件大小 规格书
6页 157K
描述
SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE

HSCH-5518 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Obsolete
包装说明:R-LTMW-F3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.60
风险等级:5.36其他特性:HIGH RELIABILITY VERSION AVAILABLE
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大二极管电容:0.15 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:K BANDJESD-30 代码:R-LTMW-F3
JESD-609代码:e3元件数量:2
端子数量:3封装主体材料:GLASS
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED脉冲输入最大功率:0.15 W
脉冲输入功率最小值:1 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN端子形式:FLAT
端子位置:TRIPLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型:MEDIUM BARRIERBase Number Matches:1

HSCH-5518 数据手册

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