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HSCH6312

更新时间： 2024-11-11 19:50:03

品牌	Logo	应用领域
ASI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	16K
描述
Mixer Diode, 400ohm Z(V) Max, 6.2dB Noise Figure, Silicon,

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HSCH6312 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.79	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大阻抗：	400 Ω
最小阻抗：	200 Ω	最大噪声指数：	6.2 dB
最大工作频率：	18 GHz	最小工作频率：	1 GHz
最高工作温度：	175 °C	子类别：	Microwave Mixer Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

HSCH6312 数据手册

HSCH6312

SCHOTTKY MIXER/DETECTOR DIODE

DESCRIPTION:

The HSCH6312 is a Hermatically

Sealed , Silicon Medium Barrier

Schottky Mixer/Detector Diode

Designed for X-Band Operation.

PACKAGE STYLE 860

MAXIMUM RATINGS

20 mA

4.0 V

P_DISS

T_J

150 mW @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +175 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

T_STG

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

NONE

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

6.2

400

1.5

200

4.0

Ohms

V_SWR

V_B

I_R= 10 mA

I_F= 1.0 mA

I_F= 5.0 mA

V = 0 V

Ohms

V_F

500

R_D

C_T

f = 1.0 MHz

0.27

290

Tsold

t = 10 SEC.

^OC

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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