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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | R-LTMW-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| 风险等级： | 5.35 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY VERSION AVAILABLE |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 最大二极管电容： | 0.25 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.375 V | 频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | R-LTMW-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 脉冲输入最大功率： | 0.15 W |
| 脉冲输入功率最小值： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | TRIPLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSCH-5538 | AGILENT |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, K Band, Silicon |
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| HSCH-5540 | AVAGO |
获取价格 |
SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE |
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| HSCH-5540 | AGILENT |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, K Band, Silicon |
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| HSCH-5810 | AVAGO |
获取价格 |
SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE |
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| HSCH-5812 | AVAGO |
获取价格 |
SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
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| HSCH-5836 | AVAGO |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon |
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| HSCH-5912 | AVAGO |
获取价格 |
Mixer Diode, Medium Barrier, KU Band, Silicon |
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| HSCH5912TXV | AGILENT |
获取价格 |
Diode, |
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| HSCH-5918 | AVAGO |
获取价格 |
Mixer Diode, Medium Barrier, C Band, Silicon |
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| HSCH-5938 | AVAGO |
获取价格 |
SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE |
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