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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | S-CQMW-F4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| 风险等级： | 5.36 | 配置： | RING, 4 ELEMENTS |
| 最大二极管电容： | 0.15 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | S-CQMW-F4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | MICROWAVE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 脉冲输入最大功率： | 0.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 肖特基势垒类型： | MEDIUM BARRIER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSCH-5836 | AVAGO |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon |
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| HSCH-5912 | AVAGO |
获取价格 |
Mixer Diode, Medium Barrier, KU Band, Silicon |
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| HSCH5912TXV | AGILENT |
获取价格 |
Diode, |
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| HSCH-5918 | AVAGO |
获取价格 |
Mixer Diode, Medium Barrier, C Band, Silicon |
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| HSCH-5938 | AVAGO |
获取价格 |
SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE |
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| HSCH5938TXV | AGILENT |
获取价格 |
Diode, |
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| HSCH-5952 | AVAGO |
获取价格 |
SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
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| HSCH5958TXV | AGILENT |
获取价格 |
Diode, |
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| HSCH6312 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, 400ohm Z(V) Max, 6.2dB Noise Figure, Silicon, |
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| HSCH-910 | ETC |
获取价格 |
GaAs Beam Lead Schottky Barrier Diodes (48K in pdf) |
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