HSCH5531

更新时间： 2024-11-10 22:33:07

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ASI		肖特基二极管微波混频二极管
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描述
BEAM LEAD SCHOTTKY DIODE

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HSCH5531 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-XTMW-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.375 V	频带：	K BAND
JESD-30 代码：	R-XTMW-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	TRIPLE
肖特基势垒类型：	LOW BARRIER	Base Number Matches：	1

HSCH5531 数据手册

HSCH5531

BEAM LEAD SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE 711

The ASI HSCH5531 is a Low Barrier

Beam Lead Schottky Diode Designed

for K-Band Mixer Applications.

MAXIMUM RATINGS

25 mA

4.0 V

I_F

V_R

150 mW @ T_A= 25 °C

-65 °C to +175 °C

-65 °C to +200 °C

P_DISS

T_J

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

V_BR

V_F

4.0

I_R= 10 µA

I_F= 1.0 mA

V_R= 1.0 V

I_F= 5.0 mA

375

Ω

∆V_F

I_R

100

R_D

∆R_D

3.0

Ω

C_T

V_R= 0 V

f = 1.0 MHz

0.10

0.02

∆C_T

TSS

-46

dBm

mV/µW

MΩ

Zero Bias, Zero Bias,

P_IN= -30 dBm

Video Badwidth = 2.0 MHz

f = 10 GHz

R_L= 10 MΩ

R_V

1.4

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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