Datasheet > 存储 > DRAM> HMP351S6AFR8C-Y5

HMP351S6AFR8C-Y5

更新时间： 2024-09-17 05:36:19

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 2Gb version A

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HMP351S6AFR8C-Y5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XZMA-N200
长度：	67.6 mm	内存密度：	34359738368 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	536870912 words
字数代码：	512000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	512MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.192 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.64 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	Base Number Matches：	1

HMP351S6AFR8C-Y5 数据手册

200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 2Gb version A

This Hynix unbuffered Small Outline Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 2Gb version A DDR2

SDRAMs in Fine Ball Grid Array (FBGA) packages on a 200pin glass-epoxy substrate. This Hynix 2Gb version A based

Unbuffered DDR2 SO-DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 67.60mm width form factor of indus-

try standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate 2 Synchronous

DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/- 0.1V Power

Supply

•

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

•

All inputs and outputs are compatible with SSTL_1.8

interface

Serial presence detect with EEPROM

DDR2 SDRAM Package: 60 ball(x4/8)

67.60 x 30.00 mm form factor

•

Posted CAS

Programmable CAS Latency 3,4,5, and 6

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment) and

ODT (On-Die Termination)

RoHS compliant & Halogen-free

•

Fully differential clock operations (CK & CK)

* This product is in compliance with the directive pertaining of RoHS.

ORDERING INFORMATION

# of

DRAMs

# of

ranks

Part Name

Density

Organization

Materials

HMP351S6AFR8C-Y5/S5/S6

4GB

512Mx64

Halogen free

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0 / Dec. 2009

12 3 4 5 6 7...17

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