Datasheet > 存储 > DRAM> HMP351U6AFR8C-S5

HMP351U6AFR8C-S5

更新时间： 2024-09-17 05:36:19

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version

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HMP351U6AFR8C-S5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N240
内存密度：	34359738368 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	536870912 words	字数代码：	512000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	55 °C
最低工作温度：		组织：	512MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

HMP351U6AFR8C-S5 数据手册

240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version

This Hynix unbuffered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 2Gb A version DDR2

SDRAMs in Fine Ball Grid Array (FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 2Gb

version A based DDR2 Unbuffered DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 133.35mm

width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate2

Synchronous DRAMs (DDR2 SDRAMs) with

1.8V +/- 0.1V Power Supply

•

Fully differential clock operations (CK & CK)

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

All inputs and outputs are compatible with

SSTL_1.8 interface

•

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

•

8 Bank architecture

Serial presence detect with EEPROM

Posted CAS

DDR2 SDRAM Package:

60ball FBGA(256Mx8)

Programmable CAS Latency 3,4,5, 6

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

ODT (On-Die Termination)

•

133.35 x 30.00 mm form factor

RoHS compliant

ORDERING INFORMATION

# of

Part Name

Density

Org.

DRAM

Materials

ECC

ranks

HMP351U6AFR8C - Y5/S5/S6

HMP351U7AFR8C - Y5/S5/S6

4GB

512Mx64

512Mx72

Halogen-free None

Halogen-free ECC

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Mar 2009

12 3 4 5 6 7...20

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