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HMC998LP5ETR

更新时间： 2024-02-11 00:14:52

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频微波
页数	文件大小	规格书
10页	741K
描述
Wide Band Medium Power Amplifier, 100MHz Min, 20000MHz Max, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, PLASTIC, SMT, QFN-32

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技术参数
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HMC998LP5ETR 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	9 dB
最大输入功率 (CW)：	27 dBm	最大工作频率：	20000 MHz
最小工作频率：	100 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
Base Number Matches：	1

HMC998LP5ETR 数据手册

HMC998LP5E

v00.0612

GaAs pHEMT MMIC

2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 20 GHz

Second Harmonics vs. Vdd

Second Harmonics vs Pout

@ Pout = 18 dBm

+12V

+14V

+15V

+12 dBm

+14 dBm

+16 dBm

+18 dBm

+20 dBm

+22 dBm

FREQUENCY(GHz)

Reverse Isolation vs. Temperature

-10

+25 C

+85 C

-40 C

-20

-30

-40

-50

-60

-70

-80

FREQUENCY (GHz)

Typical Supply Current vs. Vdd

Absolute Maximum Ratings

Dꢄaꢇꢈ Bꢇaꢆ Vꢁꢉtagꢃ (Vdd)

+17 Vdc

Vdd (V)

+15

idd (ꢅA)

500

Gatꢃ Bꢇaꢆ Vꢁꢉtagꢃ (Vgg1)

-3 tꢁ 0 Vdc

+14

500

Gatꢃ Bꢇaꢆ Vꢁꢉtagꢃ (Vgg2)

Vgg2 = (Vdd-6.5V) tꢁ (Vdd-4.5V)

+13

500

rf iꢈꢀut pꢁꢂꢃꢄ (rfin)

Chaꢈꢈꢃꢉ Tꢃꢅꢀꢃꢄatuꢄꢃ

+27 dBꢅ

150 °C

+12

500

Adjuꢆt Vgg1 tꢁ achꢇꢃvꢃ idd = 500 ꢅA

Cꢁꢈtꢇꢈuꢁuꢆ pdꢇꢆꢆ (T= 85 °C)

(derate 127 mW/°C above 85 °C)

8.26 w

Thꢃꢄꢅaꢉ rꢃꢆꢇꢆtaꢈcꢃ

(channel to die bottom)

7.87 °C/w

eleCTrosTATiC sensiTiVe DeViCe

oBserVe HAnDlinG preCAUTions

outꢀut pꢁꢂꢃꢄ ꢇꢈtꢁ Vswr > 7:1

stꢁꢄagꢃ Tꢃꢅꢀꢃꢄatuꢄꢃ

+32 dBꢅ

-65 tꢁ 150°C

oꢀꢃꢄatꢇꢈg Tꢃꢅꢀꢃꢄatuꢄꢃ

esD sꢃꢈꢆꢇtꢇvꢇty (HBm)

-40 tꢁ 85 °C

Cꢉaꢆꢆ 1A

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

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与HMC998LP5ETR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC999	HITTITE	GaN MMIC 10 WATT POWER AMPLIFIER	获取价格
HMC999_12	HITTITE	GaN MMIC 10 WATT POWER AMPLIFIER	获取价格
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