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| 生命周期： | Active | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 220 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 16 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGT1S3N60B3S9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 3.5A I(C) | TO-263AB |
|
| HGT1S3N60C3D | HARRIS |
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6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
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| HGT1S3N60C3DS | HARRIS |
获取价格 |
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
|
| HGT1S3N60C3DS | INTERSIL |
获取价格 |
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
|
| HGT1S3N60C3DS9A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 3A I(C) | TO-263AB |
|
| HGT1S5N120BNDS | INTERSIL |
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21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
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| HGT1S5N120BNDS | RENESAS |
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21A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
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| HGT1S5N120BNDS9A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 10A I(C) | TO-263AB |
|
| HGT1S5N120BNS | INTERSIL |
获取价格 |
21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs |
|
| HGT1S5N120BNS9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 10A I(C) | TO-263AB |
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