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HFH18N50S

更新时间： 2022-12-18 01:18:06
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SEMIHOW /
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7页 364K
描述
500V N-Channel MOSFET

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Nov 2009  
HFH18N50S  
500V N-Channel MOSFET  
TO-3P  
FEATURES  
1
‰ Originative New Design  
2
3
‰ Superior Avalanche Rugged Technology  
‰ Robust Gate Oxide Technology  
‰ Very Low Intrinsic Capacitances  
‰ Excellent Switching Characteristics  
‰ Unrivalled Gate Charge : 52 nC (Typ.)  
‰ Extended Safe Operating Area  
‰ Lower RDS(ON) : 0.220 Ω (Typ.) @VGS=10V  
‰ 100% Avalanche Tested  
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
TC=25℃ unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
500  
19  
ID  
– Continuous (TC = 25℃)  
– Continuous (TC = 100℃)  
A
Drain Current  
11.4  
76  
A
IDM  
Drain Current  
– Pulsed  
(Note 1)  
A
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
±30  
945  
19  
V
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
23  
mJ  
V/ns  
4.5  
Power Dissipation (TC = 25℃)  
- Derate above 25℃  
239  
1.92  
W
W/℃  
℃
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
300  
℃
Thermal Resistance Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
--  
0.24  
--  
0.52  
--  
℃/W  
Junction-to-Ambient  
40  
RθJA  
◎ SEMIHOW REV.A0,Nov 2009  
1234567

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