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HFH7N60

更新时间: 2024-11-12 17:01:19
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5页 411K
描述
TO-3P

HFH7N60 数据手册

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
汕头华汕电子器件有限公司  
对应国外型号  
HFH7N60  
█ 主要用途  
█ 外形图及引脚排列  
高压高速电源开关。  
TO-3P  
█ 极限值Ta=25℃)  
Tstg—贮存温度…………………………………………… -55~150℃  
Tj—结温………………………………………………………… 150℃  
VDSS——漏极—源极电压……………………………………………600V  
VG S —栅极—源极电压………………………………………… ±30V  
ID——漏极电流(Tc=25℃)…………………………………………………7A  
IDM ——漏极电脉冲1……………………………………… 28A  
PD——耗散功率(Tc=25℃)………………………………………198W  
1―栅 G  
2―漏 D  
3―源 S  
█ 电参数Ta=25℃)  
参数符号  
符 号 说 明  
最小值 典型值 最大值 单 位  
测 试 条 件  
BVDSS  
漏—源极击穿电压  
零栅压漏极电流  
栅极泄漏电流  
600  
V ID=250μA,VGS=0  
μA VDS=600V,VGS=0  
IDSS  
IGSS  
10  
±100 nA VGS=±30V,VDS=0  
VGS(th) 栅—源极开启电压  
RDS(on) 漏—源极导通电阻  
2.0  
4.0  
0.91 1.2  
1290  
V VDS=VGS,ID=250μA  
Ω VGS=10V,ID=3.5A  
Ciss  
Coss  
Crss  
输入电容  
pF  
输出电容  
120  
pF VDS=25VVGS=0f=1MHz  
反向传输电容  
10  
pF  
ns  
Td(on) 导通延迟时间  
Tr 上升时间  
Td(off) 断开延迟时间  
20  
55  
90  
60  
30  
6
40  
110  
180  
120  
40  
ns  
VDD=300VID=7A峰  
ns 值RG=25Ω(2)  
ns  
Tf  
下降时间  
Qg  
栅极总电荷  
nC  
nC  
nC  
A
VDS=480V  
Qgs  
Qgd  
IS  
栅极—源极电荷  
VGS=10V,  
ID=7A(2)  
栅极—漏极电荷  
13  
源极—漏极二极管正向电流  
源极—漏极二极管导通电压  
7
VSD  
1.4  
V IS=7A,VGS=0  
Rth(j-c) 热阻  
0.63 ℃/W 结到外壳  
*1:漏极电流受最大结温限制。  
*2:脉冲测试,宽度≤300μS,占空比≤2%  

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