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HFH20N60

更新时间： 2024-11-12 17:01:43

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TO-3P

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HFH20N60 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

WFW20N60

HFH20N60

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高压高速电源开关。

TO-3P

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度…………………………………………… -55~150℃

T_j——结温………………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压……………………………………………600V

V_{G S}——栅极—源极电压………………………………………… ±30V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）…………………………………………………20A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注1）………………………………………… 80A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………320W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

RDS（on）

参数符号

符号说明

最小值典型值

单位

测试条件

BVDSS

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

600

V ID=250μA，VGS=0

μA VDS=600V，VGS=0

IDSS

IGSS

±100 nA VGS=±30V，VDS=0

VGS（th）栅—源极开启电压

RDS（on）漏—源极导通电阻

2.0

3.0

4.0

V VDS=VGS，ID=250μA

0.26 0.32

Ω VGS=10V，ID=10A

Ciss

Coss

Crss

输入电容

3200

410

输出电容

pF VDS=25V，VGS=0，f=1MHz

反向传输电容

Td（on）导通延迟时间

Tr 上升时间

Td（off）断开延迟时间

200

130

125

VDD=300V，ID=20A（峰

ns 值），RG=25Ω（注2）

下降时间

栅极总电荷

VDS=480V

Qgs

Qgd

栅极—源极电荷

VGS=10V，

栅极—漏极电荷

ID=20A（注2）

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

VSD

1.4

V IS=20A，VGS=0

Rth(j-c) 热阻

0.42 ℃/W 结到外壳

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

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