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HFH3205

更新时间： 2024-04-09 19:02:36

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TO-3P

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HFH3205 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

HFH3205

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速电源开关。

TO-3P

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度…………………………………………… -55~150℃

T_j——结温………………………………………………………… 150℃

V_{D S S}——漏极—源极电压……………………………………………55V

V_{G S}——栅极—源极电压………………………………………… ±20V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）…………………………………………………110A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注1）………………………………………… 390A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………200W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BVDSS

IDSS

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

V ID=250μA，VGS=0

μA VDS=55V，VGS=0

nA VGS=±20V，VDS=0

V VDS=VGS，ID=250μA

mΩ VGS=10V，ID=59A(Figure4)

100

4.0

IGSS

VGS（th）栅—源极开启电压

RDS（on）漏—源极导通电阻

2.0

Ciss

Coss

Crss

输入电容

4000

1300

480

输出电容

pF VDS=25V，VGS=0，f=1MHz

pF (Figure 5)

反向传输电容

Td（on）导通延迟时间

Tr 上升时间

Td（off）断开延迟时间

VDD=28V、ID≌59A

VGS=10V、RL=0.47Ω

RGS=2.5Ω

100

下降时间

栅极总电荷

170

VDD=44V、ID≌59A

VGS=10V、Ig(REF)= 3mA

(Figure 6)

Qgs

Qgd

栅极—源极电荷

栅极—漏极电荷

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

110

1.3

VSD

V IS=59A，VGS=0

Rth(j-c) 热阻

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

0.65 ℃/W 结到外壳

12 3 4 5 6

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