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HER108-B

更新时间： 2024-10-29 13:01:55
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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HER108-B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.14
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HER108-B 数据手册

 浏览型号HER108-B的Datasheet PDF文件第2页 
HER101G  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
HER108G  
HIGHEFFICIENCYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Low power loss, high efficiency  
* Low leakage  
* Low forward voltage  
* High current capability  
* High speed switching  
* High surge capability  
* High reliability  
DO-41  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
(
)
.034 0.9  
DIA.  
(
)
.028 0.7  
(
)
1.0 25.4  
MIN.  
* Weight: 0.35 gram  
(
)
.205 5.2  
(
)
.166 4.2  
(
)
.107 2.7  
DIA.  
(
)
.080 2.0  
(
)
1.0 25.4  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
HER106G HER107G HER108G  
UNITS  
HER101G HER102G HER103G HER104G HER105G  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
600  
800  
1000 Volts  
V
V
RRM  
RMS  
50  
100  
200  
300  
400  
560  
800  
Volts  
Volts  
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
420  
600  
700  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
1.0  
30  
I
O
Amps  
Amps  
at TA  
= 50oC  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
pF  
0 C  
15  
12  
-55 to + 150  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
HER101G HER102G HER103G HER104G HER105G HER106G HER107G HER108G  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
UNITS  
Volts  
SYMBOL  
VF  
1.70  
1.0  
1.3  
Maximum DC Reverse Current  
uAmps  
uAmps  
5.0  
at Rated DC Blocking Voltage TA  
= 25oC  
I
R
Maximum Full Load Reverse Current  
100  
Average, Full Cycle .375” (9.5mm) lead length at TL  
= 55oC  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
75  
nSec  
50  
NOTES : 1. Test Conditions: I  
F
= 0.5A, I  
R = 1.0A, IRR = 0.25A  
2003-1  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HER108B-G COMCHIP

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HER108G PINGWEI

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 		1.0AMP. Glass Passivated High Efficient Rectifiers

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