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HER108G

更新时间： 2024-10-30 15:18:47
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE /
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4页 213K
描述
DO-41

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HER108G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：4.72Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HER108G 数据手册

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RoHS  
HER101G THRU HER108G  
COMPLIANT  
High Efficient Rectifier  
Features  
● High efficiency  
● High current capability  
● High Reliability  
● High surge current capability  
● Glass passivated chip junction  
● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106  
Mechanical Data  
● Package: DO-204AL(DO-41)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-  
002 and JESD22-B102  
●
Color band denotes cathode end  
Polarity:  
(Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
■Maximum Ratings  
HER101 HER102 HER103 HER104 HER105 HER106 HER107 HER108  
PARAMETER  
SYMBOL UNIT  
G
G
G
G
G
G
G
G
HER101 HER102 HER103 HER104 HER105 HER106 HER107 HER108  
Device marking code  
G
G
G
G
G
G
G
G
V
V
V
V
V
A
50  
100  
200  
300  
400  
600  
800  
1000  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RRM  
RMS  
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
700  
V
100  
1000  
Maximum DC blocking Voltage  
DC  
Average Forward Current  
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta=75℃  
IF(AV)  
1.0  
30  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
IFSM  
A
60  
@1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃  
Current squared time  
@1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃，Rating of per diode  
Typical junction capacitance  
@Measured at 1MHz and Applied Reverse  
Voltage of 4.0 V.D.C  
A2s  
pF  
I2t  
Cj  
3.735  
15  
13  
8
T
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
stg  
℃
℃
T
j
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
HER101 HER102 HER103 HER104 HER105 HER106 HER107 HER108  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT TEST CONDITIONS  
G
G
G
G
G
G
G
G
Maximum instantaneous  
forward voltage drop per diode  
V
F
I
=1.0A  
V
1.0  
1.3  
1.7  
FM  
T =25℃  
2.5  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per  
diode  
j
I
μA  
ns  
R
100  
T =125℃  
j
IF=0.5A,IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
Maximum reverse recovery time  
50  
75  
trr  
1 / 4  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
S-A088  
Rev. 2.2, 30-Jan-21  
www.21yangjie.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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