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HER108GA0G

更新时间： 2024-10-30 01:08:03

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TSC		二极管
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4页	362K
描述
Glass Passivated High Efficient Rectifiers

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HER108GA0G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.03	其他特性：	HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

HER108GA0G 数据手册

HER101G thru HER108G

Taiwan Semiconductor

CREAT BY ART

Glass Passivated High Efficient Rectifiers

FEATURES

- Glass passivated chip junction

- High current capability, Low VF

- High reliability

- High surge current capability

- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and

in accordance to WEEE 2002/96/EC

- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

MECHANICAL DATA

Case: DO-204AL (DO-41)

DO-204AL (DO-41)

Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0

Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)

Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified

Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102

Meet JESD 201 class 1A whisker test

with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test

Weight: 0.33 g (approximately)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (T_A=25^oC unless otherwise noted)

HER HER HER HER HER HER HER HER

101G 102G 103G 104G 105G 106G 107G 108G

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

300

210

300

400

280

400

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

I_F(AV)

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)

@ 1 A

V_F

1.0

1.3

1.7

Maximum reverse current @ rated VR T_J=25 ^oC

T_J=125 ^oC

I_R

μA

150

Maximum reverse recovery time (Note 2)

Typical junction capacitance (Note 3)

Trr

R_θJC

R_θJA

^OC/W

Typical thermal resistance

^OC

Operating junction temperature range

Storage temperature range

T_J

- 55 to +150

T_STG

Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle

Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A

Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.

Document Number: DS_D1407033

Version: I14

12 3 4

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与HER108GA0G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HER108GA-G	COMCHIP	获取价格	High Efficiency Rectifiers
HER108GB-G	COMCHIP	获取价格	High Efficiency Rectifiers
HER108GHA0	TSC	获取价格	Glass Passivated High Efficient Rectifiers
HER108G-K	TSC	获取价格	1A, 50V - 1000V Glass Passivated High Efficient Rectifier
HER108GL	DSK	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
HER108GL	LGE	获取价格	High Efficiency Rectifiers
HER108GPT	CHENMKO	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
HER108GS	YANGJIE	获取价格	High Efficient Rectifier
HER108-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2
HER108G-T3	WTE	获取价格	1.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE

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