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HB52R649E1U-A6B

更新时间： 2024-11-07 07:02:47

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
20页	150K
描述
512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M × 4 Components) PC100 SDRAM

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HB52R649E1U-A6B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6.9 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	55 °C	最低工作温度：
组织：	64MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.546 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	4.47 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

HB52R649E1U-A6B 数据手册

HB52R649E1U-A6B/B6B

512 MB Registered SDRAM DIMM

64-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(18 pcs of 64 M × 4 Components)

PC100 SDRAM

E0022H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1192A (Z))

Preliminary

Jan. 31, 2001

Description

The HB52R649E1U belongs to 8-byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been developed

as an optimized main memory solution for 8-byte processor applications. The HB52R649E1U is a 64M × 72

× 1-bank Synchronous Dynamic RAM Registered Module, mounted 18 pieces of 256-Mbit SDRAM

(HM5225405BTB) sealed in TCP package, 1 piece of PLL clock driver, 2 pieces of register driver and 1 piece

of serial EEPROM (2-kbit) for Presence Detect (PD). An outline of the HB52R649E1U is 168-pin socket

type package (dual lead out). Therefore, the HB52R649E1U makes high density mounting possible without

surface mount technology. The HB52R649E1U provides common data inputs and outputs. Decoupling

capacitors are mounted beside each TCP on the module board.

Note: Do not push the cover or drop the modules in order to protect from mechanical defects, which would

be electrical defects.

Features

•

Fully compatible with : JEDEC standard outline 8-byte DIMM

: Intel PCB Reference design (Rev.1.2)

168-pin socket type package (dual lead out)

 Outline: 133.35 mm (Length) × 30.48 mm (Height) × 4.80 mm (Thickness)

 Lead pitch: 1.27 mm

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 100 MHz (max)

LVTTL interface

Data bus width: × 72 ECC

Single pulsed RAS

4 Banks can operates simultaneously and independently

Preliminary: The Specifications of this device are subject to change without notice. Please contact to your

nearest Elpida Memory, Inc. regarding specifications.

This product became EOL in September, 2002.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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与HB52R649E1U-A6B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HB52R649E1U-B6B	ELPIDA	获取价格	512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword × 72-bi
HB52RD168DB-A6D	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144
HB52RD168DB-A6DL	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144
HB52RD168DB-A6F	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-A6FL	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-B6F	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-B6FL	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HB52RD168GB-A6F	ELPIDA	获取价格	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword ×
HB52RD168GB-A6FL	ELPIDA	获取价格	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword ×
HB52RD168GB-B6F	ELPIDA	获取价格	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword ×

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