Datasheet > HB52RD168GB-A6FL

HB52RD168GB-A6FL

更新时间： 2024-11-07 05:34:55

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		内存集成电路动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
22页	108K
描述
128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword × 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (16 pcs of 16 M × 4 components) PC100 SDRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HB52RD168GB-A6FL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM144,20
针数：	144	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.92	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.016 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

HB52RD168GB-A6FL 数据手册

HB52RD168GB-F

128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM

16-Mword × 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(16 pcs of 16 M × 4 components)

PC100 SDRAM

E0009H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1153A (Z))

Jan. 19, 2001

Description

The HB52RD168GB is a 16M × 64 × 1 bank Synchronous DynamicRAMMicro Dual In-lineMemory Module

(Micro DIMM), mounted 16 pieces of 64-Mbit SDRAM (HM5264405FTB) sealed in TCP packageand 1 piece

of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect (PD). An outline of the product is 144-pin Zig Zag

Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, it makes high density mounting possible without

surface mount technology. It provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted

beside TCP on the module board.

Note: Do not push the cover or drop the modules in order to protect from mechanicaldefects,which wouldbe

electrical defects.

Features

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type

Outline: 38.00 mm (Length) × 30.00 mm (Height) × 3.80 mm (Thickness)

Lead pitch: 0.50 mm

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 100 MHz (max)

LVTTL interface

Data bus width: × 64 Non parity

Single pulsed RAS

4 Banks can operates simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length : 1/2/4/8/full page

This Product became EOL in October, 2005.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与HB52RD168GB-A6FL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HB52RD168GB-B6F	ELPIDA	获取价格	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword ×
HB52RD168GB-B6FL	ELPIDA	获取价格	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword ×
HB52RD168GB-F	ELPIDA	获取价格	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword ×
HB52RD328DC-A6F	ELPIDA	获取价格	256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword × 6
HB52RD328DC-A6FL	ELPIDA	获取价格	256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword × 6
HB52RD328DC-B6F	ELPIDA	获取价格	256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword × 6
HB52RD328DC-B6FL	ELPIDA	获取价格	256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword × 6
HB52RD328DC-F	ELPIDA	获取价格	256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword × 6
HB52RD328GB-A6B	ELPIDA	获取价格	256MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM
HB52RD328GB-A6BL	ELPIDA	获取价格	256MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM

与HB52RD168GB-A6FL相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

13
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

34

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HB52RD168GB-A6FL

HB52RD168GB-A6FL 技术参数

HB52RD168GB-A6FL 数据手册

与HB52RD168GB-A6FL相关器件

与HB52RD168GB-A6FL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HB52RD168GB-A6FL

HB52RD168GB-A6FL 技术参数

HB52RD168GB-A6FL 数据手册

与HB52RD168GB-A6FL相关器件

与HB52RD168GB-A6FL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？