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H5TQ4G63EFR-RDI

更新时间： 2024-11-10 14:48:55

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H5TQ4G63EFR-RDI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TFBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
长度：	13 mm	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

4Gb DDR3 SDRAM

4Gb DDR3L SDRAM

Lead-Free&Halogen-Free

(RoHS Compliant)

H5TC4G83EFR-xxA

H5TC4G83EFR-xxI

H5TC4G83EFR-xxL

H5TC4G83EFR-xxJ

H5TC4G83EFR-xxK

H5TC4G63EFR-xxA

H5TC4G63EFR-xxI

H5TC4G63EFR-xxL

H5TC4G63EFR-xxJ

H5TC4G63EFR-xxK

* SK Hynix reserves the right to change products or specifications without notice.

Rev. 1.5/ Oct. 2020

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5TQ4G63MFR-G7C	HYNIX	获取价格	4Gb DDR3 SDRAM
H5TQ4G63MFR-G7I	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 256MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
H5TQ4G63MFR-G7J	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 256MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
H5TQ4G63MFR-H9C	HYNIX	获取价格	4Gb DDR3 SDRAM
H5TQ4G63MFR-H9J	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 256MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
H5TQ4G63MFR-PBC	HYNIX	获取价格	4Gb DDR3 SDRAM
H5TQ4G63MFR-RDC	HYNIX	获取价格	4Gb DDR3 SDRAM
H5TQ4G83AFR-G7C	HYNIX	获取价格	4Gb DDR3 SDRAM
H5TQ4G83AFR-H9C	HYNIX	获取价格	4Gb DDR3 SDRAM
H5TQ4G83AFR-PBC	HYNIX	获取价格	4Gb DDR3 SDRAM