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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, BGA82,11X13,32 |
| 针数： | 82 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.62 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 533 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B82 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 11.1 mm |
| 内存密度： | 4294967296 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 82 |
| 字数： | 536870912 words | 字数代码： | 512000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装等效代码： | BGA82,11X13,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 电源： | 1.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.35 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.024 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.19 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 9.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| H5TQ4G83CFR-PBL | HYNIX | DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FPBGA-78 |
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| H5TQ4G83CFR-RDC | HYNIX | DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FPBGA-78 |
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| H5TQ4G83CFR-RDJ | HYNIX | DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FPBGA-78 |
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| H5TQ4G83EFR-RDC | HYNIX | DDR3 |
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| H5TQ4G83EFR-RDI | HYNIX | DDR3 |
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| H5TQ4G83EFR-RDK | HYNIX | DDR DRAM, |
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