5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, BGA82,11X13,32 |
| 针数： | 82 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.63 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B82 |
| 长度： | 13.3 mm | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 82 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA82,11X13,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.35 mm |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 12.2 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5TQ8G43AMR | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G43AMR-G7C | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G43AMR-H9C | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G43AMR-PBC | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G43AMR-RDC | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G63AMR-G7C | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G63AMR-H9C | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G63AMR-PBC | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G63AMR-RDC | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ8G83AMR-G7C | HYNIX |
获取价格 |
8Gb DDR3 SDRAM |
|
压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
