5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, BGA82,11X13,32 |
| 针数： | 82 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 533 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B82 | 长度： | 13.3 mm |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 82 |
| 字数： | 536870912 words | 字数代码： | 512000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装等效代码： | BGA82,11X13,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.35 mm | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 12.2 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5TQ4G43MMR-S6C | HYNIX |
获取价格 |
4Gb DDR3 SDRAM DDP(2Gbx2) |
|
| H5TQ4G63AFR-G7C | HYNIX |
获取价格 |
4Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ4G63AFR-H9C | HYNIX |
获取价格 |
4Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ4G63AFR-PBC | HYNIX |
获取价格 |
4Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ4G63AFR-RDC | HYNIX |
获取价格 |
4Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ4G63AFR-TEC | HYNIX |
获取价格 |
4Gb DDR3 SDRAM |
|
| H5TQ4G63CFR-PBC | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, FPBGA-96 |
|
| H5TQ4G63CFR-RDC | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, FPBGA-96 |
|
| H5TQ4G63CFR-TEC | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, FPBGA-96 |
|
| H5TQ4G63EFR-PBC | HYNIX |
获取价格 |
DDR3 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
