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H5TQ4G43MFR-H9C

更新时间： 2024-11-06 12:04:03

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H5TQ4G43MFR-H9C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA78,9X13,32
针数：	78	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.67	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.255 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B78
JESD-609代码：	e1	长度：	11 mm
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	78
字数：	1073741824 words	字数代码：	1000000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	1GX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA78,9X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	9.4 mm
Base Number Matches：	1

4Gb DDR3 SDRAM

Lead-Free&Halogen-Free

(RoHS Compliant)

H5TQ4G43MFR-xxC

H5TQ4G83MFR-xxC

H5TQ4G63MFR-xxC

* SK hyix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without

Rev. 1.0 / Nov. 2012

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