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H5TQ4G43AMR-G7C

更新时间： 2024-11-05 20:03:23

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	316K
描述
DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA82, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-82

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H5TQ4G43AMR-G7C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA82,11X13,32
针数：	82	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.69	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B82
JESD-609代码：	e1	长度：	11.1 mm
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	82
字数：	1073741824 words	字数代码：	1000000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	1GX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA82,11X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.35 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.024 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.265 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.1 mm	Base Number Matches：	1

4Gb DDR3 SDRAM

Lead-Free&Halogen-Free

(RoHS Compliant)

H5TQ4G43AMR-xxC

H5TQ4G83AMR-xxC

* Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.

Rev. 1.1 / Jun. 2010

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