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H5TC4G63EFR-PBA

更新时间: 2024-09-20 14:48:55
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海力士 - HYNIX 双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
33页 1464K
描述
DDR3

H5TC4G63EFR-PBA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FBGA-96Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.62访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B96
长度:13 mm内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:96字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.45 V最小供电电压 (Vsup):1.283 V
标称供电电压 (Vsup):1.35 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

H5TC4G63EFR-PBA 数据手册

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Revision History  
Revision No.  
History  
Draft Date  
Mar. 2016  
Jun. 2016  
Jul. 2016  
Remark  
0.1  
Initial Version  
1.0  
1.1  
1.2  
1.3  
1.4  
1.5  
x16 IDD spec. value update  
x8 IDD spec. value update  
Automotive Temp part update  
Corrected typo of IDD value  
Corrected typo of Features  
Corrected typo  
Sep. 2016  
Feb. 2017  
Apr. 2017  
Oct. 2020  
Rev. 1.5/ Oct. 2020  
2

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