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H5TC4G83DFR-RDA

更新时间: 2024-01-23 09:26:02
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 434K
描述
DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78

H5TC4G83DFR-RDA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TFBGA,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B78长度:11 mm
内存密度:4294967296 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:78
字数:536870912 words字数代码:512000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:512MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):1.45 V
最小供电电压 (Vsup):1.283 V标称供电电压 (Vsup):1.35 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1

H5TC4G83DFR-RDA 数据手册

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4Gb DDR3L SDRAM  
4Gb DDR3L SDRAM  
Lead-Free&Halogen-Free  
(RoHS Compliant)  
H5TC4G43DFR-xxA  
H5TC4G83DFR-xxA  
* SK hynix reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 0.2 / Apr. 2015  
1

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