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H5TC4G83BFR-RDA

更新时间: 2024-02-10 04:12:58
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 435K
描述
DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78

H5TC4G83BFR-RDA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TFBGA,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B78
长度:11 mm内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:78字数:536870912 words
字数代码:512000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:512MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.45 V最小供电电压 (Vsup):1.283 V
标称供电电压 (Vsup):1.35 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

H5TC4G83BFR-RDA 数据手册

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4Gb DDR3L SDRAM  
4Gb DDR3L SDRAM  
Lead-Free&Halogen-Free  
(RoHS Compliant)  
H5TC4G43BFR-xxA  
H5TC4G83BFR-xxA  
* SK hynix reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 1.0 / Nov. 2013  
1

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DDR DRAM, 512MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78