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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B54 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 16MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H57V2562GTR-50C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-50I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-50J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-50L | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-60C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-60CR | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM |
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| H57V2562GTR-60I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-60J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-60L | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-75C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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