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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP2, | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.82 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 座面最大高度： | 1.194 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H57V2562GTR-60I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-60J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-60L | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-75C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-75I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-75J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2562GTR-75L | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V2582GTR-60C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
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| H57V2582GTR-60I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
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| H57V2582GTR-60J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
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