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H57V2562GTR-75C

更新时间: 2024-11-30 07:02:35
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海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
23页 231K
描述
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O

H57V2562GTR-75C 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.78Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

H57V2562GTR-75C 数据手册

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256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O  
256M (16Mx16bit) Hynix SDRAM  
Memory  
Memory Cell Array  
- Organized as 4banks of 4,194,304 x 16  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 1.0 / Aug. 2009  
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