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H57V2562GTR-75J

更新时间： 2024-11-30 07:02:35

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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描述
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O

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H57V2562GTR-75J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.3	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
备用内存宽度：	16	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e6
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

H57V2562GTR-75J 数据手册

256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O

256M (16Mx16bit) Hynix SDRAM

Memory

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 4,194,304 x 16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Aug. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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H57V2582GTR-60L	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O
H57V2582GTR-75C	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O
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