5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.3 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.194 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H57V2582GTR-75C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-75I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-75J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-75L | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2622GMR-60X | HYNIX |
获取价格 |
256Mb : x32 Dual Die Synchronous DRAM |
|
| H57V2622GMR-75X | HYNIX |
获取价格 |
256Mb : x32 Dual Die Synchronous DRAM |
|
| H-58 | LITTELFUSE |
获取价格 |
矩形35H级钕磁铁，外形尺寸为21.00mm（长）x 7.00mm（宽）x 4.70mm（ |
|
| H-58P | BOURNS |
获取价格 |
PANEL MOUNT ASSEMBLY HARDWARE |
|
| H5A1 | MCC |
获取价格 |
500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts |
|
| H5A1-AP | MCC |
获取价格 |
Zener Diode, 4.4V V(Z), 2.27%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAG |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
