5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.82 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.194 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H57V2582GTR-60C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-60I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-60J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-60L | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-75C | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-75I | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-75J | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2582GTR-75L | HYNIX |
获取价格 |
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O |
|
| H57V2622GMR-60X | HYNIX |
获取价格 |
256Mb : x32 Dual Die Synchronous DRAM |
|
| H57V2622GMR-75X | HYNIX |
获取价格 |
256Mb : x32 Dual Die Synchronous DRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
