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H57V2562GFR-75C

更新时间： 2024-11-30 07:02:35

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
23页	276K
描述
256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O

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H57V2562GFR-75C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O

256M (16Mx16bit) Hynix SDRAM

Memory

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 4,194,304 x 16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Aug. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H57V2562GFR-75L	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-50C	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-50I	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-50J	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-50L	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-60C	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-60CR	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
H57V2562GTR-60I	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-60J	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H57V2562GTR-60L	HYNIX	获取价格	256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O