H11D3M

更新时间： 2024-11-06 04:20:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体光电晶体管光电晶体管输出元件高压
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描述
High Voltage Phototransistor Optocouplers

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H11D3M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	PLASTIC, DIP-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.40.80.00	风险等级：	5.72
其他特性：	UL APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	200 V
配置：	SINGLE	标称电流传输比：	20%
最大正向电流：	0.08 A	最大绝缘电压：	7500 V
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

H11D3M 数据手册

September 2007

H11D1M, H11D2M, H11D3M, 4N38M, MOC8204M

High Voltage Phototransistor Optocouplers

Features

General Description

■ High voltage:

The H11DXM, 4N38M and MOC8204M are photo-

transistor-type optically coupled optoisolators. A gallium

arsenide infrared emitting diode is coupled with a high

voltage NPN silicon phototransistor. The device is sup-

plied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.

– MOC8204M, BV

= 400V

CER

– H11D1M, H11D2M, BV

= 300V

CER

– H11D3M, BV

= 200V

CER

■ High isolation voltage:

– 7500 V peak, 1 second

■ Underwriters Laboratory (UL) recognized

File # E90700, Volume 2

Applications

■ Power supply regulators

■ Digital logic inputs

■ Microprocessor inputs

■ Appliance sensor systems

■ Industrial controls

Schematic

ANODE

CATHODE

N/C

6 BASE

COLLECTOR

EMITTER

H11DXM, 4N38M, MOC8204M Rev. 1.0.2

www.fairchildsemi.com

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