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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 900 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 800 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 500 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT60M301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) |
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| GT60M302 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) |
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| GT60M303 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) |
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| GT60M303(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
IGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH |
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| GT60M303-Q | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT60M322 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT60M323 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT60M323_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT60M324 | TOSHIBA |
获取价格 |
Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT60N321 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications The 4th Generation |
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