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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 60 A | 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 200 ns |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 400 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 370 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT60M323_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT60M324 | TOSHIBA |
获取价格 |
Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT60N321 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications The 4th Generation |
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| GT60N322 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application |
|
| GT60PR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
1100 V/60 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N) |
|
| GT61 | TSC |
获取价格 |
6.0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers |
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| GT610 | TSC |
获取价格 |
6.0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers |
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| GT6102 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN |
|
| GT6107 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN |
|
| GT6108A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN |
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