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GT25G101

更新时间： 2024-09-14 22:32:55
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东芝 - TOSHIBA 闪光灯双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 197K
描述
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

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GT25G101 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.19外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：6000 ns
门极发射器阈值电压最大值：7 V门极-发射极最大电压：25 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：75 W最大功率耗散 (Abs)：75 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：500 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：GENERAL PURPOSE SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：4500 ns标称接通时间 (ton)：150 ns
VCEsat-Max：8 VBase Number Matches：1

GT25G101 数据手册

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GT25G101  
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N−CHANNEL IGBT  
GT25G101  
Unit in mm  
STROBE FLASH APPLICATIONS  
l High Input Impedance  
l Low Saturation Voltage : V  
l Enhancement−Mode  
l 20V Gate Drive  
=8V (Max.) (I =170A)  
CE (sat)  
C
MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
Collector−Emitter Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
V
V
400  
±25  
V
V
CES  
GES  
DC  
I
25  
C
Collector Current  
A
1ms  
I
170  
CP  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
P
1.3  
C
C
Collector Power  
Dissipation  
W
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight : 1.5g  
―
P
75  
―
Junction Temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
2−10S1C  
Storage Temperature Range  
T
stg  
−55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)  
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
I
I
V
V
=±25V, V =0  
―
―
4
―
―
±100  
10  
nA  
µA  
V
GES  
GE  
CE  
CE  
Collector Cut−off Current  
Gate−Emitter Cut−off Voltage  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
Input Capacitance  
=400V, V =0  
GE  
CES  
V
I =1mA, V =5V  
5
7
GE (OFF)  
C
CE  
V
I =170A, V =20V (Pulsed)  
―
―
―
―
―
―
―
5
8
V
CE (sat)  
C
GE  
C
ies  
V
=10V, V =0, f=1MHz  
CE GE  
2000  
0.1  
0.15  
4.0  
4.5  
―
―
pF  
Rise Time  
t
0.5  
0.5  
6.0  
7.0  
r
Turn−on Time  
Switching Time  
t
on  
µs  
Fall Time  
t
f
Turn−off Time  
t
off  
Thermal Resistance  
R
―
1.66 °C / W  
th (j−c)  
1
2002-02-06  
1234

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GT25G101 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GT10G101 TOSHIBA

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GT25G101(SM) ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR
GT25G101_06 TOSHIBA

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 		N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
GT25G101SM_06 TOSHIBA

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 		SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
GT25G102 TOSHIBA

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 		N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
GT25G102(SM) ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR
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GT25H101 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-247VAR
GT25H-12DP-2.2H HRS

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 		Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting.
GT25H-12DP-2.2V HRS

获取价格

 		Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting.

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